低压绝缘子瓷件技术条件

一 范围

 

本标准规定了低压绝缘子瓷件的技术要求、试验、包装和标志的一般要求。

本标准适用于直流电压低于1000V的或交流电压低于1000V、频率不超过100Hz的架空电力线路、电气装置和设备上使用的绝缘子瓷件。

本标准不适用于在有破坏瓷及釉的介质（气体或液体）中工作的瓷件。

 

 

二 规范性引用文件

略

 

 

三 术语

 

见 高压绝缘子瓷件技术条件 中 二术语。

 

 

四 材料与工艺

 

低压绝缘子瓷件按材料和工艺可分为以下两类：

符合IEC60672-1：1995的C100硅质瓷，湿法成形制造；符合IEC60672-1：1995的C111硅质瓷，干法成形制造。

 

 

五 技术要求

 

5.1尺寸偏差

 

5.1.1干法成形瓷件的尺寸偏差

除另有规定，干法成形瓷件的尺寸偏差应符合表1的规定。

瓷件爬电距离的负偏差，不应超过表1中非主要尺寸栏规定的下偏差值，对上偏差值不作规定。

 

5.1.2湿法成形瓷件的尺寸偏差

除另有规定，湿法成形瓷件的尺寸偏差应符合表2的规定。

瓷件爬电距离的负偏差，不应超过表1中非主要尺寸栏规定的下偏差值，对上偏差值不作规定。

 

5.2形位偏差

 

5.2.1平行度

瓷件两平行平面（两装安装面或安装平面与端面）的平行度公差应符合表3的规定。

 

5.2.2平面度

瓷件安装支承面的平面度公差应符合表4的规定。

 

5.2.3直线度

管（或棒）型瓷件的轴直线度公差不应超过瓷件高度（或长度）的1％。

 

5.2.4圆度

5.2.4.1干法成形瓷件的圆度公差不应超过如下规定：

a）当尺寸偏差选定为表1主要尺寸等级Ｉ的瓷件，其圆度公差不应超过该表主要尺寸栏中等级Ⅱ规定的上（或下）极限偏差的绝对值。

b）当尺寸偏差选定为表１主要尺寸Ⅱ等级的瓷件，其圆度公差不应超过该表非主要尺寸栏中等级Ｉ规定的上（或下）极限偏差的绝对值。

c）若未规定偏差等级时，则按表1非主要尺寸栏中等级Ｉ的上（或下）极限偏差的规定。

5.2.4.2湿法成形瓷件不应超过（0.01d+2.5）mm（ｄ为直径，单位为mm）。

 

5.2.5同轴度

瓷件的同轴度公差规定如下：

ａ）干法成形瓷件不应超过表1主要尺寸栏中等级Ｉ或等级Ⅱ规定的上（或下）极限偏差的绝对值。其尺寸按大圆直径确定。若未规定偏差等级时，则按等级Ⅱ的规定。

ｂ）湿法成形瓷件应不超过表2主要尺寸栏中等级Ⅱ或非主要尺寸栏规定的上（或下）极限偏差的绝对值。尺寸按大圆直径确定。若未规定偏差等级时，则按非主要尺寸栏的规定。

 

5.3瓷件的外观质量

 

5.3.1瓷件应在规定的部位均匀地上一层光滑、发亮并坚硬的釉，釉面应无裂纹和影响其良好运行性能的其他缺陷。釉不应有显著的色调不均现象，但因釉较薄而颜色较浅是允许的，例如在半径较小的边缘部位的釉面。

5.3.2瓷件表面缺陷不应超过表5的规定，且不应影响瓷件的安装和连接。

5.3.3堆釉、折痕、压痕的高度或深度不应超过表5的规定，刀痕和波纹的深度不应超过0.5mm，这些缺陷不计算在表5缺陷总面积内。

5.3.4瓷件的釉面针孔不应超过（瓷件总面积（mm2）/100)ｘ３个。

5.3.5瓷件焙烧支承部位不上釉面不算作缺陷，但其不上釉高度不应超过3mm。

5.3.6瓷件螺纹缺牙长度不应超过瓷螺纹总长的10％，且不应影响其配合。

5.3.7瓷件重要部位表面单个缺陷面积应不超过表5规定的单个缺陷面积的0.8倍。（瓷件的重要部位应在图样上注明）

 

5.4干法成形瓷件的吸水率

干法成形瓷件的吸水率不应超过0.8％。

 

5.5湿法成形瓷件的孔隙性

湿法成形瓷件的剖面应均质致密，经孔隙性试验后不应有任何渗透现象。

 

5.6温度循环试验要求

瓷件应能耐受三次冷热温差为70K的温度循环试验而不损坏。瓷件在冷水和热水中停留时问均为15min。

 

5.7干法成形低压电器瓷件的电气和机械性能试验要求

5.7.1干法成形的低压电器瓷件，应能耐受表6规定的工频试验电压1min而不击穿或闪络。

5.7.2干法成形的低压电器瓷件，其绝缘电阻不应小于２MΩ。

5.7.3干法成形的低压电器瓷件，其机械强度应符合如下规定：

ａ）试样的冲击弯曲强度不低于1.3kJ／m2;

ｂ）瓷件的打击试验的强度和次数由产品标准规定或供需双方协议。

 

 

六 试验方法

 

6.1外观检查

外观检查以目力观察方法进行，必要时使用量具，如瓷件表面有细小气泡或颜色不均而不能判断绝缘体是否良好时，应选出具有上述缺陷的代表性产品进行剖面检查或作孔隙性试验，如剖面检查发现瓷质不致密（有大量气孔）或有渗透现象时，则瓷件不合格。

 

6.2尺寸检查

检查时应采用游标卡尺、直尺等标准量具或特制量具进行测量。

 

6.3形位公差检查

 

6.3.1平行度

测量时，将试品直立安装在旋转平台中心，平台表面与旋转轴线应垂直（见图1）。顶端端面上用合适的方法将一块厚度（不小于15mm）均匀的圆板同心地固定在试品上，旋转平台一周，用千分表测量圆板上直径为100mm处表面至支架横梁间的距离（即图1中A的距离），计算其最大值与最小值之差即为端面平行度公差。

也可将瓷件（包括瓷套或瓷板类）置于平台中心，直接测量瓷件上端表面至支架横梁间的距离。

注：如产品标准未注明测量部位尺寸时，在产品上的实际测量值应换算为直径100mm处的数值。

6.3.2平面度

测量时，用刀口尺或直尺与被测试品表面直接接触，并使两者之间的最大间隙为最小，用塞尺（厚薄规）测量最大间隙，在表面上各点测量中的最大间隙（t）为试品表面的平面度公差，如图2所示。

6.3.3圆度

检查时，测量垂直于轴线的同一截面上任意两个直径方向的最大直径与最小直径，其差值的一半作为圆度公差测量的近似值。

6.3.4同轴度

使用与6.3.1相同的安装方法（见图1）。当瓷件在平台上转动一周时用千分表读取圆板外缘处与支架与支柱间的距离（即图1中B的距离），其最大值与最小值之差的一半即为同轴度公差。也可将（例如有加工圆柱面的）瓷件置于平台中心，当瓷件在平台上转动一周时直接用千分表测量瓷件与支架横梁间的距离。

 

6.4温度循环试验

试验程序按GB/T1001.1-2003中第24章的规定。

 

6.5孔隙性试验

试验程序按GB/T1001.1-2003中第26章的规定。

 

6.6吸水率试验

 

6.6.1试品

试品应是从瓷件上敲下来的小块，其重量为30g-50g，或是小型瓷件的整个瓷件的部分（应有断裂面），试块的上釉面（包括焙烧支承面）一般不应超过试块表面积的30％，表面应干净无油污，且无敲击瓷件形成的可见裂纹。

6.6.2试验程序

试验时，将试块全部浸入盛有洁净的蒸馏水的容器内，并使水面高于瓷块上表面50mm，试块在水中停留24h。在前4h，水应保持沸腾，水由冷至沸腾的时间不应超过30min（此时间包括在4h内）。从第5h开始冷却，到第24h末取出试块。然后用拧干的湿纱布（或滤纸）吸去试块表面的水分，并立即称量（为保持试块湿度，可将其置于玻璃器皿中）。然后在110℃±5℃的温度下干燥至恒重。称量前，试块应放在干燥器内冷却至周围空气温度。称量准确度为0.001g。

6.6.3实验结果计算

瓷件的吸水率，按下式计算：吸水率=（m1-m2）/m2×100%

式中：

m1——试块干燥前的重量，单位为ｇ；

m2——试块干燥后的重量，单位为ｇ。

吸水率计算准确到小数点后两位数字。瓷件吸水率以各试块吸水率的算术平均值计算。

 

6.7工频耐受电压试验

 

6.7.1试验的一般条件

试验的大气条件和试验电压应符合GB/T16927.1的规定。

6.7.2试验设备与装置

试验用变压器的容量应不小于0.5kVA。

试验用试验箱（或者恒湿箱）的容积应不小于瓷件连同座台所占容积的三倍，试验装置如图3所示。

6.7.3试验程序．

试验时，试验箱内应注以深度不小于20mm的水，盖好箱盖，至少停留4h，使水自然蒸发至箱内空气相对湿度为95％±3％（必要时可适当地加热），温度为20℃±５℃，然后将瓷件置于箱内的金属网台上（如果瓷件是安装在电气设备内的，可将电气设备放入，但应将其箱壳打开），瓷件与试验箱盖的距离应不小于30mm。试验电极按具体产品要求连接。瓷件在箱内停留24h。然后在相对湿度65％±15％条件下，加上工频电压。试验电压应在近似于零电压时开始，然后以能够读出电压表指针指示的速度升高至表6规定的试验电压，保持1min，瓷件不应被击穿或闪络。

 

6.8绝缘电阻测量

 

6.8.1试验时一般条件和试验装置

试验的一般条件和试验装置按6.7的规定。

6.8.2试验程序

按6.7.3的规定将瓷件置于试验箱内，并停留24h，然后在相对湿度65％±15％的条件下。用500V的高阻计或兆欧表（绝缘电阻表）测量瓷件的绝缘电阻。

 

6.9击弯曲强度试验

 

6.9.1试样

本项（对于干法成形瓷件）试验的试样截面为方形，其形状和尺寸如图4所示。

6.9.2试验设备

采用微型冲击强度试验机，示值相对误差不超过±1％，冲击摆锤最大能量500N·mm。

6.9.3试验程序

首先测量试样尺寸，在中心位置测量试样的高度与宽度，精确到0.02mm。

调整试验机测量指针的零点。调节两个支架之间的距离至70mm。把试样放置在支架上，冲击摆锤摆动面应与试样的轴线垂直，并对准试样的中心，将摆锤提升到最高位置锁住，然后松开摆锤，使之自由落下，击断试样。

6.9.4结果计算

冲击弯曲强度按下式计算：

 

6.10打击试验

 

试验应在专用的装置上进行。该装置应能使试品由于受落体打击而产生冲击压力。试品受力点及与支座支承面间不应有软性衬垫，落体锤头及支座用硬质有机材料制成。试验装置推荐如图5所示。

打击试验的强度和次数见5.7.3b）。

瓷件经试验后，如果未破碎，或者没有碎块掉落和肉眼能发现的开裂，则认为通过本试验。

 

 

七 实验分类和项目

 

7.1试验分类

瓷件的试验分为逐个试验、抽样试验和型式试验。

 

7.2逐个试验

瓷件应按表７的规定逐个进行检验（序号2、3两项的具体检查项目按供需双方协议进行），如果发现有瓷件不符合表中规定的任何一项要求，则此瓷件不符合本标准要求，应予以剔除。

 

7.3抽样试验

 

7.3.1抽样规则

瓷件应按批进行验收。以同一工艺方法制成的同一型号（规格）的瓷件算作一批，每批数量不作规定。

瓷件应按批进行抽样试验。抽样试验应在逐个试验合格后的批中随机抽取试品进行。抽样规则按JB/T3384的规定，本标准采用计件二次抽样方案。

从表8批量（N）和检查水平查出样本容量字码，在表9查出其样本容量。

如无特殊规定，尺寸及形位偏差检查采用S-4的检查水平，其余试验项目为S-3的检查水平。

7.3.2抽样方案

抽样方案见表9。

如无特殊规定，尺寸及形位偏差检查的接收质量水平（AQL）为6.5％，其余试验项目为4.0％。

7.3.3抽样试验项目

抽样试验项目规定于表10。

7.3.4试验结果判断

抽样试验的各项按该项的样本容量进行试验，试验后按该项的接收质量水平（AQL）进行结果判断。如果第一样本中的不合格品数d1≤Ac1，则该项合格；若d1≥Re1，则该项不合格；若Ac1＜d1＜Re1，则应在该批中重新再抽取第二样本n2进行该项的重复试验。在第二样本中的不合格品数d2加上第一样本中的不合格品数d1，即两次联合样本中的不合格品数之和，若d1+d2≤Ac2，则该项合格，若d1+d2≥Re2，则该项不合格。

试验后，如果所有各项均合格，则接收该批。如果有一项及以上试验项目不符合要求，则拒收该批。但若仅尺寸或形位公差检查不符合要求，允许逐个进行检查，符合要求的产品则可以出厂。

 

7.4型式试验

新产品试制定型或正常产品修改结构、改变原材料配方及工艺方法时，必须进行型式试验。正常生产的产品每四年（定期）至少进行一次型式试验。型式试验项目规定于表11。

表11所列的型式试验项目中，序号1、序号2、序号3的试验每个项目仅允许不超过一只试品不符合要求，若此三个项目中有一个项目中不符合要求试品数超过一只，则型式试验不合格。除以上三个试验项目外，其他项目中即使只有一只试品不符合要求，则型式试验不合格。

 

 

八 包装与标志

 

8.1瓷件的包装必须保证在正常运输途中不致因包装不良而损坏瓷件。

 

8.2瓷件应按图样规定的部位清楚而牢固地标出制造厂商标和制造年份（小型瓷件无法标记时可以不标）。

 

8.3瓷件包装箱（或篓）上应标明：

a）制造厂名称；

b）瓷件型号（或代号）；

c）瓷件数量；

d）包装箱的重量；

e）符合GB/T191规定的“易碎物品”、“禁止翻滚”标志图形。

 

8.4随着每批送交的瓷件应附有产品检验合格证，此证应有制造厂技术检验部门的印章。