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精诚一意,格致创新
电瓷的显微结构
一、显微结构的核心组成相
1.主晶相
莫来石(3Al₂O₃・2SiO₂):高温烧结形成的针状或棒状晶体,占比 30-60%。其高弹性模量(~200 GPa)和低热膨胀系数(~5×10⁻⁶/℃)赋予材料优异的抗折强度和抗热震性。
方石英 / 鳞石英:石英相变产物,呈板状或纤维状,通过晶界钉扎效应阻碍裂纹扩展,但过量会因相变体积膨胀(~2.8%)导致内应力集中。
2.玻璃相
由长石、黏土等助熔剂在 1250-1450℃形成的非晶态基质,占比 25-40%。其高介电常数(6-8)和低电导率(<10⁻¹⁴ S/cm)保障绝缘性能,但玻璃相软化温度(~700℃)限制了材料的高温稳定性。
3.气相(气孔)
闭口气孔率通常控制在 3-8%,开口气孔率 < 1%。气孔尺寸多为 1-10 μm,呈球形或不规则形状。气孔率每增加 1%,抗折强度下降约 3-5%,击穿场强降低约 2-3 kV/mm。
4.晶界
晶粒间界面可能覆盖薄层玻璃相或杂质相。晶界电阻率影响整体绝缘性能,裂纹扩展倾向于沿晶界进行,晶界强度决定断裂韧性。
二、晶体结构特征
1.莫来石晶体
择优取向生长,长宽比可达 5:1 至 10:1。晶界处存在约 2-5 nm 厚的富硅玻璃膜,降低晶间结合力,但可抑制裂纹扩展。
2.石英晶体
残留石英多呈棱角状,粒径 5-20 μm。其表面常形成无定形 SiO₂层(约 10 nm),与玻璃相形成过渡区,改善界面相容性。
三、界面与晶界特征
1.晶界结构
莫来石 - 玻璃相界面存在 Al³⁺/Si⁴⁺浓度梯度,形成扩散层(约 50 nm)。界面处可能析出尖晶石(MgAl₂O₄)或钛酸铝(Al₂TiO₅)等第二相,提高晶界强度。
2.玻璃相分布
玻璃相呈网络状包裹晶体,厚度 100-300 nm。在晶界三岔点处形成约 1-3 μm 的玻璃相富集区,此处易成为电树枝引发位点。
四、缺陷类型与分布
1.点缺陷
氧空位浓度约 10¹⁶-10¹⁷ cm⁻³,主要存在于玻璃相中,影响载流子迁移率。
2.位错网络
莫来石晶体中位错密度约 10⁶-10⁷ cm⁻²,多为刃位错,可通过应力诱导攀移吸收能量。
3.微裂纹
主要源于石英相变应力,裂纹长度多为 10-50 μm,裂纹尖端存在塑性变形区(约 1 μm)。
五、工艺调控对显微结构的影响
1.原料粒度
石英砂粒度从 50 μm 细化至 10 μm 时,莫来石晶粒尺寸从 8 μm 降至 4 μm,气孔率从 6% 降至 3%。
2.烧成制度
升温速率:过快导致气孔滞留,过慢可能引起晶粒异常生长。
保温时间:延长可促进莫来石发育,但过久导致晶粒粗化。
添加剂效应
添加 1-2% TiO₂可促进莫来石形成,细化晶粒;添加 3-5% ZrO₂通过应力诱导相变增韧,断裂韧性从 1.5 MPa・m¹/² 提升至 2.2 MPa・m¹/²;氧化铝(Al₂O₃)纳米颗粒掺杂可提高晶界纯度,抑制离子迁移。
六、典型失效模式与结构响应
电晕老化
玻璃相中的 Na⁺迁移至晶界,形成导电通道。扫描电镜显示晶界处出现直径 5-20 μm 的放电蚀坑。
热机械疲劳
循环载荷下,莫来石晶界玻璃相发生黏塑性流动,裂纹沿晶界扩展速率达 10⁻⁶ m/s。
七、优化方向
1.纳米改性
引入纳米莫来石前驱体,降低烧结温度并细化晶粒。
2.梯度结构设计
表层高玻璃相以提高光滑度,内部高晶相保证强度。
电瓷显微结构是一个多尺度、多相耦合的复杂系统。通过控制原料配比、优化烧成工艺及引入纳米改性技术,可实现晶体形态、玻璃相分布及缺陷密度的精准调控,从而满足特高压输电、智能电网等领域对材料综合性能的严苛要求。未来,跨尺度的多相结构优化将成为研究重点。
电瓷的显微结构